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AlN結晶の製造方法

シーズコード S110006084
掲載日 2011年11月4日
研究者
  • 大塚 寛治
  • 清宮 義博
  • 高木 健児
  • 杉田 薫
技術名称 AlN結晶の製造方法
技術概要 容器10の内部にAl片を挿入する。次いで、ポンプ54でチャンバー50の内部を排気した後、窒素ガス供給部52によってチャンバー50の内部に窒素ガスを供給する。窒素雰囲気の圧力は4気圧以上30気圧以下であるのが好ましい。次いで、所定量の触媒元素含有物を容器10の内部に供給し、ヒータ20を用いてAl片を溶融する。これにより、容器10内に、触媒元素が溶け込んだ溶融Al2が生成する。溶融Al2の温度は、800℃以上1300℃以下であるのが好ましい。次いで、種結晶保持部30に保持された種結晶4を回転させながら、種結晶4の下面を溶融Al2に浸す。種結晶4と溶融Al2の界面には触媒元素が位置している。この状態において、触媒元素は溶融Al2に溶解した窒素と反応して窒化する。触媒元素と結合した窒素がアルミニウムに受け渡され、アルミニウムが窒化する。このようにして、触媒元素を触媒としたアルミニウムの窒化反応が進行し、これにより、種結晶4にAlN結晶が成長する。
画像

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研究分野
  • 無機工業薬品,無機材料一般
展開可能なシーズ AlNは、バンドギャップが紫外域にあり大きく、熱伝導率も高く、かつAlGaN等との格子定数の整合性も良いため、AlNを化合物半導体装置の基板として使用した場合、バッファ層を形成する必要がない。しかし、結晶性の良いAlN結晶を十分な大きさに成長させることはできなかった。そこで、結晶性の良いAlN結晶を成長させることが可能なAlN結晶の製造方法を提供する。
新規な方法でAlN結晶を製造することができる。
用途利用分野 AlN結晶
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) タマティーエルオー株式会社, . 大塚 寛治, 清宮 義博, 高木 健児, 杉田 薫, . AlN結晶の製造方法. . 2010-01-21
  • C30B  29/38     
  • C30B  15/02     
  • B01J  27/24     
  • B01J  27/20     
  • B01J  21/06     

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