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単結晶SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶SiC基板

シーズコード S110006115
掲載日 2011年11月4日
研究者
  • 泉 勝俊
  • 横山 敬志
技術名称 単結晶SiC基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶SiC基板
技術概要 この単結晶SiC基板の製造方法は、Si母材層2に所定厚さの表面Si層3と埋め込み酸化物層4が形成されたSOI基板1に対し、表面Si層3側からPイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層4をPSG層6に変成させて軟化点を低下させるPイオン注入工程と、PSG層6が形成されたSOI基板1を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Si層3をSiCに変成させたのち冷却させて表面に単結晶SiC層を形成するSiC形成工程とを行なう。Pイオン導入工程におけるPイオンの導入量は、1×1015~5×1018個/cmである。Pイオン導入工程における基板温度は、200~550℃である。Pイオン導入工程では、Pイオンの加速エネルギーが5~30keVでイオン注入によって行う。
画像

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研究分野
  • 無機工業薬品,無機材料一般
展開可能なシーズ 従来、膜質の良い単結晶SiC基板は高価でかつ小型のものしか得られておらず、大型で膜質のよい単結晶SiC基板は得られていない。そこで、比較的安価な多結晶SiC基板を母材基板として、歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶SiC基板を安価に製造できる単結晶SiC基板の製造方法および単結晶SiC基板を提供する。
単結晶SiC基板の製造方法は、炭化処理で形成されたSiC層とSi母材層の収縮率に差があっても、SiC層とSi母材層の間の埋め込みガラス層が変形してSi母材層とSiC層の間に滑りが発生し、基板全体の反りを大幅に抑制することができる。
用途利用分野 単結晶SiC基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) エア・ウォーター株式会社, 公立大学法人大阪府立大学, . 泉 勝俊, 横山 敬志, . 単結晶SiC基板の製造方法. 特開2009-120455. 2009-06-04
  • C30B  29/36     
  • C23C  14/48     
  • H01L  21/265    
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/02     
  • H01L  27/12     
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/31     

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