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磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法

シーズコード S012000220
掲載日 2002年1月29日
研究者
  • 浅井 滋生
研究者所属機関
  • 名古屋大学
研究機関
  • 名古屋大学
技術名称 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法
技術概要 電解状態にある弱磁性体、あるいは反磁性体などの物質を基板上に析出または無電解析出させるに際して、電析または無電解析出環境に対して所定方向の磁場を印加することにより、析出した物質結晶を磁化率の大きい結晶方位が印加磁場の方向と平行して配列析出させることができる析出膜結晶方位の効果的制御方法。印加すべき磁場の強さは通常5T以上程度であるが、磁気特性が弱い物質について良好な結晶方位制御を行う場合は7T以上とする。
画像

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従来技術、競合技術の概要 湿式法では結晶方位を制御する方法がいくつかあるが、いづれも特定物質に限定されること、熱力学的に安定な結晶方位を有する電析・無電解析出膜は成長させることができるが、それ以外の特定の結晶方位に配列した電析・無電解析出膜を成長させることはできない。その他、スパッタリング法、PVD、CVDなどがあるが、結晶は物質固有の方位に成長し、必ずしも制御されていない。
研究分野
  • 電気めっき
  • 金属の結晶成長
展開可能なシーズ (1)熱電変換材料
用途利用分野 結晶方位による耐食性、体磨耗性など特性が異なる材料
機能性薄膜
関連発表論文 (1)谷口貴久, 佐々健介, 浅井滋生, 山田隆志. 強磁場印加による亜鉛電析結晶の配向(科学技術振興事業団S). 共同研究等促進事業「各種反応・プロセスにおける磁気効果に関する研究」研究室共同研究中間報告会プロシーディング 平成10年度. 1999,p.84‐89.
(2)山田隆志, 浅井滋生. 磁場利用複合めっき皮膜における分散粒子の分布. 材料とプロセス. vol.14,no.1,2001,p.182.
(3)大竹芳文, 谷口貴久, 佐々健介, 浅井滋生, 山田隆志. 印加磁場強度の変化に伴うニッケル電析膜の結晶配向の変化. 材料とプロセス. vol.13,no.4,2000,p.916.
(4)谷口貴久, 佐々健介, 浅井滋生, 山田隆志. 強磁場印加による亜鉛電析結晶の配向(科学技術振興事業団S). 科学技術振興事業団共同研究中間報告会プロシーディング 平成10年度 共同研究等促進事業. 1999,p.84‐89.
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 浅井 滋生, 佐々 健介, 谷口 貴久, . 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法. 特開2000-239887. 2000-09-05
  • C25D   5/00     
  • C23C  18/52     

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