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超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置

シーズコード S110006319
掲載日 2011年11月16日
研究者
  • 近藤 英一
技術名称 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置
技術概要 ダイナミックランダムメモリーのキャパシタ電極として、酸化ルテニウムを金属酸化物薄膜として成膜する。目的の金属酸化物の金属前駆体は、有機ルテニウム化合物であるビスシクロペンタジエニルルテニウムである。これを所定量秤量し、攪拌子とともに内容量50mLの高圧容器に入れる。次に、洗浄したSi基板を高圧反応容器10の支持具に設置し、高圧反応容器に蓋をし、ステンレスボルトで封止する。次に、各種バルブ及び配管切替器60を制御し、COで希釈した5%Oガスをガス供給ボンベ20から高圧反応容器に供給する。次に、各バルブ及び配管切替器60を制御し、CO供給装置30により高圧反応容器内に液体COを供給して高圧反応容器の圧力を10Mpaとする。攪拌器で攪拌しながら、ヒーターにより容器全体の温度を250℃にし、約3分間反応させた後、各バルブを閉め、ヒーターによる加熱を止めて容器を水冷する。高圧反応容器下流のバルブを開として、高圧反応容器内の流体を気化・分離器40を通して排出し、高圧反応容器のフタをあけてSi基板を取り出すと、Si基板上には光沢のある成膜物が得られる。
画像

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thum_2006-514112.GIF
研究分野
  • 金属薄膜
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 酸化物薄膜、又は金属積層薄膜を、成膜した下地の特性(導電性の有無)に依存することなく、金属積層薄膜を形成する方法を提供する。また、かかる緻密な薄膜の成膜装置を提供する。
超臨界流体中、又は亜臨界流体中で下地の導電性の有無にかかわらず金属酸化物薄膜を成膜することができる。また、かかる金属酸化物薄膜を金属薄膜に還元し金属薄膜とすることができるとともに、金属薄膜上に配線材料とし通常使用される金属の薄膜を積層させることができる。段差被覆性や埋め込み性よく、金属酸化物薄膜、及び金属薄膜を簡便なプロセスにより成膜することができる。
用途利用分野 金属積層薄膜形成装置、酸化物薄膜形成装置、集積回路プロセス、微細加工プロセス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人山梨大学, . 近藤 英一, . 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置. . 2008-07-31
  • C23C  16/44     
  • H01L  21/28     
  • H01L  21/285    
  • C23C  16/40     
  • C23C  16/448    
  • B01J  19/00     
  • B01J   3/00     
  • H01L  21/3205   
  • H01L  23/52     

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