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温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法

シーズコード S110006325
掲載日 2011年11月17日
研究者
  • 東 清一郎
技術名称 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法
技術概要 温度測定装置は、光強度特性Xを光強度測定部100で測定し、被加熱体と同等の形状、熱的及び光学的特性を有する仮想被加熱体に被加熱体が加熱された条件と同等の熱負荷を与え、仮想被加熱体から得られる光強度特性が光強度特性Xに最も一致する光強度特性Zを有する仮想被加熱体を再現被加熱体として求める再現被加熱体を演算部200で取得し、再現被加熱体に基づいて被加熱体の所定部位の所定時間における温度を温度出力部300で求める。演算部200は、所定の入力データに基づき仮想被加熱体の温度分布特性を熱伝導解析部220で求め、温度分布特性を対応する屈折率分布特性に変換部230で変換し、仮想被加熱体の所定の光学特性Yを光学解析部240で求める。光強度特性Xから所定の光学特性Xを抽出し、光学特性XとYとの差異を判別し、その差異が最小になるまで補正された初期値をデータ入力部210に再入力して光学特性Xに最も一致する光学特性Zを判定部250で求めて、光学特性Zに対応する光強度特性Z及び温度分布特性を有する仮想被加熱体を再現被加熱体として再現被加熱体出力部260により出力する。
画像

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研究分野
  • 温度測定,温度計
  • レーザ一般
展開可能なシーズ 半導体基板等の基板の熱処理のようにミリ秒単位で急速に温度変化する基板表面や内部の温度を正確に測定することができる温度測定装置又は方法が求められている。そこで、高パワー密度の加熱源により基板の表面から急速加熱を行って基板の熱処理を行うときの基板内の所定位置の所定時間における温度を容易にかつ効率的に測定することができる温度測定装置及び温度測定方法並びにこの温度測定装置を利用して正確な温度制御のもとで熱処理を行うことができる熱処理装置を提供する。
半導体基板等を高パワー密度の加熱源で熱処理を行うようなミリ秒単位で急速に温度変化する基板表面や内部の温度を正確に測定することができる。このため、温度測定装置を熱処理装置に付設することによって品質の高い熱処理を行うことができる。また、温度測定装置からの信号によりプラズマジェット発生装置の出力を制御する制御装置を設けた熱処理装置によれば、さらに高品質の熱処理を行うことができる。また、そのような熱処理装置に、プラズマジェット発生装置のプラズマジェットと半導体基板等とを相対的に移動させる駆動装置を設けることができる。
用途利用分野 温度測定装置、熱処理装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人広島大学, . 東 清一郎, . 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法. . 2009-01-29
  • G01K  11/12     
  • H01L  21/66     
  • G06F  17/30     

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