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スパッタリング装置

シーズコード S110006358
掲載日 2011年11月21日
研究者
  • 草野 英二
技術名称 スパッタリング装置
技術概要 本件はスパッタリング装置の中でも特に回転陰極を設置した装置に特徴があり、基板上に生成した金属化合物皮膜に損傷を与えずにスパッタリングを実施できる。図1はスパッタリング装置の全体構成図である。本装置は低圧雰囲気のチャンバ12内で基板14を保持するとともに陽極を兼ねる保持部16、基材に周面が対向する筒状の回転陰極18、陰極表面に金属材料を供給可能な補助陰極20、保持部を含む成膜室22、金属材料供給室24との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部30および酸素、窒素他の反応性ガス供給源と接続している供給路32を備えている。スパッタリング時の回転陰極には印加電圧が負であるパルス電力を供給してもよい。また、回転陰極は内周にマグネットを設けてもよい。これによりプラズマが回転陰極付近で発生しないように制御することが可能でその結果、基材上の化合物皮膜の損傷を防ぐ事ができる。
画像

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研究分野
  • 気相めっき
展開可能なシーズ 金属化合物薄膜の生産性を改善したスパッタリング装置を提供する。
品質の優れた金属酸化物、窒化物をはじめとした化合物薄膜を効率よく作成する事ができる。
用途利用分野 スパッタリング装置、金属酸化物薄膜製造装置、金属窒化物薄膜製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人金沢工業大学, . 草野 英二, . スパッタリング装置. 特開2010-156014. 2010-07-15
  • C23C  14/34     

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