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スパッタリング装置

シーズコード S110006359
掲載日 2011年11月21日
研究者
  • 草野 英二
技術名称 スパッタリング装置
技術概要 スパッタリング装置の中に回転陰極を設置すると共に、これに組成の異なる金属材料を供給する複数の補助陰極を付属させた事に特徴がある。これにより基板上に種々の多成分組成の金属化合物皮膜を形成させる事ができる。図はスパッタリング装置の全体構成図である。本装置は低圧雰囲気のチャンバ12内で基板14を保持するとともに陽極を兼ねる保持部16、基材に周面が対向する筒状の回転陰極18、陰極表面に異なる金属材料を供給する複数の補助陰極320と330を備える。また、。チャンバ12には不活性ガスを供給するガス供給路46を設けてある。ターゲット材料としては、チタニウム、アルミニウム、インジウム、スズ、亜鉛等がある。スパッタリング時の回転陰極には印加電圧が負であるパルス電力を供給する。これによりターゲットの表面に電荷が蓄積せず、異常放電を防止できる。
画像

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研究分野
  • 気相めっき
展開可能なシーズ 生産性の低下を抑えながら任意の組成比の多成分から成り、かつ面内組成の均一な薄膜を形成させる事が可能なスパッタリング装置を開発する。
深さ方向に組成比が連続的に変化し、ターゲットを交換する事なく異なる組成の薄膜を生産できる。
用途利用分野 金属酸化物薄膜、金属窒化物薄膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人金沢工業大学, . 草野 英二, . スパッタリング装置. 特開2010-156015. 2010-07-15
  • C23C  14/34     
  • C23C  14/24     
  • C23C  14/35     
  • C23C  16/08     
  • H01L  21/285    

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