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ペンタセンキノン誘導体及びその製造方法

シーズコード S110006591
掲載日 2011年11月29日
研究者
  • 高橋 保
  • 菅野 研一郎
  • 周 立山
  • 李 石
技術名称 ペンタセンキノン誘導体及びその製造方法
技術概要 式(I)で示されるペンタセンキノン誘導体及びその製造方法である。式中、R~Rは、水素原子、アルキル基等であり、A~Aは、水素原子又はアルコキシカルボニル基等の電子吸引性基であり、A~Aの少なくとも一つは電子吸引性基である。ペンタセンキノン誘導体をグリニャール試薬又は有機リチウム試薬と反応させることによりペンタセン誘導体を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 炭素多環化合物一般
展開可能なシーズ ポリアセン類などの有機電子素子材料を、太陽電池素子などに利用する場合、より低いHOMO(最高占有分子軌道)を有していることが求められる。そこで、より低いHOMOを与えうる、ペンタセンキノン骨格の末端芳香環に電子吸引性基を有するペンタセンキノン誘導体を提供する。このペンタセンキノン誘導体にグリニャール試薬または有機リチウム試薬を反応させて、所望の置換基を導入することによって、所望の電子状態を与えうる多置換ペンタセン誘導体を容易に得ることができる。
このペンタセンキノン誘導体は、ペンタセンキノン骨格の末端芳香環に電子吸引性基を有していることにより、理論的にはHOMOとLUMOのレベルが下がり、酸化反応などを受け難く、化学的安定性に優れている。このペンタセンキノン誘導体は、電子吸引性基の種類及び位置を適宜選択することによって、化合物の電子状態を制御することができる。このようなペンタセンキノン誘導体を簡便な方法で得ることができる。所望の電子状態を有し、酸化され難く、化学的安定性に優れたペンタセン誘導体を簡便な方法で得ることができる。
用途利用分野 発光素子、太陽電池デバイス、トランジスタデバイス、有機電子デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, 高橋 保, . 高橋 保, 菅野 研一郎, 周 立山, 李 石, . ペンタセンキノン誘導体及びその製造方法. 特開2010-180140. 2010-08-19
  • C07F   7/08     
  • C07C  69/95     
  • C07C  67/313    
  • C07C  69/76     
  • C07C  67/317    

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