TOP > 技術シーズ検索 > 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法

紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法

シーズコード S110006683
掲載日 2011年12月1日
研究者
  • 平山 秀樹
  • 青柳 克信
技術名称 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法
技術概要 窒化物半導体の結晶成長において、830℃乃至950℃の成長温度で結晶成長されたInAlGaN発光層であって、Alの導入によりInを誘発的に導入して、Inの組成比が2%乃至20%であり、かつ、Alの組成比が10%乃至90%であって、InとAlとGaとの組成比の合計が100%となり、波長280nm乃至波長360nmの深紫外域の短波長域において室温で高効率発光するInAlGaN発光層を用いて、これらの発光層とを交互に複数層積層して量子井戸構造を形成し、波長36 0nm以下の紫外域の短波長域において室温で高効率発光する紫外発光素子とする。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2005-226357.GIF
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 発光素子
展開可能なシーズ 従来、GaNなどの窒化物半導体によって室温で波長360nm 以下の紫外域の短波長域において発光する紫外発光半導体を実現することはできないと考えられていた。これに対し、波長360nm以下の紫外域の短波長域において室温で高効率発光させる窒化物半導体を提供することを目指す。
波長360nm 以下の紫外域の短波長域において室温で高効率発光する窒化物半導体として、InAlGaN発光層の製造方法を提供することができた。これは量子井戸構造で紫外発光するものなので、組成比の異なるInAlGaN層を積層して形成した量子井戸構造を備えた発光ダイオードやレーザーダイオードなどの紫外発光素子を構成することができることになる。
用途利用分野 紫外発光素子、発光ダイオード、レーザダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 理化学研究所, . 平山 秀樹, 青柳 克信, . 紫外発光素子およびInAlGaN発光層の製造方法. 特開2005-340856. 2005-12-08
  • H01L  33/00     
  • H01S   5/323    

PAGE TOP