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近接場光学顕微鏡装置

シーズコード S110006744
掲載日 2011年12月5日
研究者
  • 川上 養一
  • 岡本 晃一
  • 金田 昭男
  • 藤田 茂夫
技術名称 近接場光学顕微鏡装置
技術概要 近接場光学顕微鏡装置1は、検針5を用いて試料4を、100nm程度の超空間分解能で観測する装置である。試料4としては、たとえばLED(発光ダイオード)やLD(レーザダイオード)などの光、電子デバイスであり、具体例としては、GaAs,GaNなどの化合物半導体が挙げられる。検針5は、導光手段である光ファイバを2本有し、一本は光源であるレーザ光源2からのレーザ光を導く光源側光ファイバ6であり、もう一本は、試料4の発光を受光し、光検出系8に導く受光側光ファイバ7である。光ファイバ6,7は、先を鋭く尖らせ、先端の開口は、数10~100nm程度である。光源側光ファイバ6にレーザ光を導入すると、先端から、開口の直径と同程度の範囲に近接場光が発生し、この近接場光近傍に試料4を近づけると、試料表面で電子、キャリア、励起子が発生し、試料4が発光する。光源側光ファイバ6と、受光側光ファイバ7とは所定距離、たとえば数μm程度離間して配置されており、受光側光ファイバ7も光源側光ファイバ6と同距離、試料4に近接させる。
画像

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研究分野
  • 光学的測定とその装置一般
展開可能なシーズ 励起エリア外での発光を検出することができる近接場光学顕微鏡装置を提供する。
光源側導光手段とは別に、試料の発光を受光する受光側導光手段を備え、この受光側導光手段は、光源側導光手段先端から離間した位置の試料表面に向けて先端が配置されるので、拡散によって励起エリア外に流れ出し、励起エリア外での発光を観測することができる。また試料に照射され試料において反射または吸収される光の波長とは異なる波長の光を観測可能であるので、試料から発せられる光のエネルギー分布画像を得ることができる。さらに、光源側導光手段で照射する時刻とは異なる時刻に試料からの光を観測可能であるので、試料表面の発光の時間変化を観測することができる。また、受光側導光手段が複数設けられることによって、試料表面の複数箇所での発光を観測することができる。
用途利用分野 近接場光学顕微鏡装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人京都大学, . 川上 養一, 岡本 晃一, 金田 昭男, 藤田 茂夫, . 近接場光学顕微鏡装置. 特開2002-031591. 2002-01-31
  • G01Q  60/18     
  • G01N  21/63     
  • G02B  21/06     

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