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真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法

シーズコード S110006814
掲載日 2011年12月6日
研究者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
技術名称 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法
技術概要 成膜チャンバー容器1内にSi-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーン(有機ポリシロキサン)ターゲット10が配置され、またこれに対向してシリコン(Si)基板20が配置されている。そして、合成石英製の入射窓3が成膜チャンバー容器1に設けられており、その入射窓3を通して外部のレーザー光源よりレーザー光5が前記シリコーンターゲット10に照射されるように設定されている。この構成において、成膜チャンバー容器1内を真空ポンプ(例えば、ターボ分子ポンプ)2により4.4×10-5Torr以下に真空排気した後、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)を、入射窓3を通して、シリコーンターゲット10に照射し、ターゲット10と対向した位置に設置されたシリコン基板20に対して、基板温度を室温(常温)としてアブレーション(パルスレーザーデポジション)による成膜を行う。ターゲット10上でのレーザー光の照射エネルギー密度を、50~90mJ/cmの範囲で変化させて成膜を行った。レーザー光の繰り返し周波数は5Hzとし、形成膜の膜厚が120~150nmとなるようにレーザー光照射時間を変化させた。
画像

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研究分野
  • 光集積回路,集積光学
  • 可視・紫外スペクトル一般
展開可能なシーズ 真空紫外光によるSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びその改質方法を利用した前記化合物膜あるいは酸化ケイ素膜のパターン形成方法を提供する。
従来困難とされてきたSi-O-Si結合を含む固体化合物の薄膜化を、膜厚を精密に制御しながら行うことができ、またSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の真空紫外光源による汎用的な改質方法及びその改質方法を利用した同化合物膜の微細パターン形成方法が確立でき、次世代のFレーザーリソグラフィー用レジストとしても利用可能である等、大規模集積回路製作のための必要不可欠な技術となる。また、これらエレクトロニクス分野にとどまらず、マイクロマシーニングやマイクロ化学分析システム等、今後微細加工を利用して発展するデバイス製作分野に多大に利用可能である。
用途利用分野 レーザーリソグラフィー用レジスト、酸化ケイ素膜、成膜装置、マイクロ化学分析システム、微細パターン形成装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 防衛装備庁長官, . 大越 昌幸, 井上 成美, 高尾 寛弘, . 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法. 特開2004-272049. 2004-09-30
  • C23C  14/28     
  • G03F   7/36     
  • C23C  16/40     
  • G03F   7/075    
  • G03F   7/004    
  • H01L  21/027    
  • H01L  21/316    

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