TOP > 技術シーズ検索 > 量子ドット及びその製造方法

量子ドット及びその製造方法

シーズコード S110006825
掲載日 2011年12月6日
研究者
  • 渕 真悟
  • 竹田 美和
  • 宇治原 徹
  • 三宅 信輔
  • 河村 真一
技術名称 量子ドット及びその製造方法
技術概要 従来のガスフローシーケンスを変更し、In供給前に積極的にAs及びPを供給することで、InAsP量子ドットのAs比を確実に増加させうることを知見し、本発明を完成させた。まず、基材1上に下地層2を形成した後、反応室をP成分雰囲気にした状態で、基材1の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材1の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をAs成分及びP成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層2上にAs成分及びP成分5を存在させる。その後、反応室を、In成分を含む雰囲気にして、In成分よりなりAs成分及びP成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、InAsPよりなる量子ドットを形成する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2007-209362.gif
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 半導体レーザ
展開可能なシーズ 量子ドットからの発光スペクトルは、量子ドットを構成する材料により発光波長範囲が決まり、量子ドットのサイズ分布や組成分布を調整することで、より細かな中心発光波長と半値幅の制御が可能となる。次世代OCT用に近赤外線領域の波長チューニングを目指し、InAsP量子ドット中のAs組成を増加させることで、中心発光波長を長波長側にずらすことを試みたが、従来のガスフローシーケンスでは、In液滴の形成後の気相As比を調整しても、量子ドットの発光の波長チューニングを適切に行うことが困難であった。そこで、ガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させることを目的とする。
所望の組成を有する量子ドットの製造が可能となり、量子ドットからの発光スペクトルにおける波長チューニングを確実に行うことができる。その結果、次世代OCTで必要となる、近赤外線領域の広帯域発光の1000~1050nm帯の波長チューニングが可能となる。
用途利用分野 量子ドット発光素子、量子ドットレーザー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 渕 真悟, 竹田 美和, 宇治原 徹, 三宅 信輔, 河村 真一, . 量子ドットの製造方法. 特開2009-044052. 2009-02-26
  • H01L  21/205    
  • C30B  29/62     
  • C30B  29/40     

PAGE TOP