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シリコンナノワイヤーの架橋成長方法

シーズコード S110006873
掲載日 2011年12月7日
研究者
  • 鈴木 裕
  • 荒木 弘
  • 野田 哲二
  • 土佐 正弘
技術名称 シリコンナノワイヤーの架橋成長方法
技術概要 シリコンナノワイヤーを成長,位置制御するために,シリコン基板上に触媒金属粒子のパターニングが必要である。まず,SOI(Silicon◇On◇Insurator)基板を用いてSiO上に図1aの平面図のように,厚さ2μm,2μm角のSi単結晶ドットを約15μm間隔でエッチングにより作製する。続いてスパッタリングにより金を約2nmコーティングする。さらに,希釈フッ酸によりSiO層を取り除くと,金粒子に覆われたシリコン角柱のパターンが得られる(図1b)。ここで,図1(a)(b)での符号は次のものを示している。1:ドット間隔3~20μm,2:金属/シリコン柱,3:SiO層,4:シリコン基板。
画像

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thum_2005-242748.GIF
研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ より低温での、回路上の熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
回路の熱損傷をともなうことなく、300℃以下の温度で任意の場所に結晶性のシリコンナノワイヤー架橋を作製できる。このため、任意の位置でのナノワイヤー配線による半導体回路作製が実現可能となる。また、反応ガスの圧力、流量を制御することによりワイヤーのサイズの制御が可能である。
用途利用分野 シリコンナノワイヤーの架橋構造を形成する製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 鈴木 裕, 荒木 弘, 野田 哲二, 土佐 正弘, . シリコンナノワイヤーの架橋成長方法. 特開2007-055840. 2007-03-08
  • C30B  29/62     
  • C01B  33/02     
  • C30B  29/06     
  • B82B   3/00     
  • C23C  16/24     

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