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高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法

シーズコード S110006876
掲載日 2011年12月7日
研究者
  • 赤石 實
  • 谷口 尚
技術名称 高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法
技術概要 図はcBN粉末を焼結するための焼結体合成用カプセルの1例を示す。Taカプセル1の内部にcBN粉末2,Ta箔3,ポリ塩化ビニリデン4を交互に重ね,上下に黒鉛円盤5を配置している。具体例では,試料容器にTaカプセルを使用し,カプセルの下部に黒鉛円盤を配置した。黒鉛円盤上にTa箔3枚を配置後,粒径幅0.5~2μmのcBN粉末を250mg秤量し,このcBN粉末上に6mgのポリ塩化ビニリデンを積層し,このポリ塩化ビニリデン上に同じ粒径幅のcBN粉末250mgを充填してcBN粉末上にTa箔の円板を3枚のせた。さらに,粒径幅0~1μmのcBN粉末250mgを二つ秤量し,cBN粉末の間に9mgのポリ塩化ビニリデンをサンドイッチ状に配置し,cBN粉末上をTa箔で覆った。
画像

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研究分野
  • 特殊加工
展開可能なシーズ 微粒高純度立方晶窒化ホウ素(cBN)焼結体は,cBNのみからなる高純度焼結体であるものの,焼結体の粒子径が限定されていることや高温条件下での耐熱性が十分でない等問題点がある。耐熱性に優れた平均粒子径数μmの高純度cBN焼結体を5GPa領域で製造する方法を提供する。
回収試料を研削後光学顕微鏡観察した結果、異常粒成長の全く認められない、均質な組織の焼結体であった。
用途利用分野 仕上げ切削工具、高純度立方晶窒化ホウ素焼結体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 赤石 實, 谷口 尚, . 高純度立方晶窒化ホウ素焼結体の製造法. 特開2007-070148. 2007-03-22
  • C04B  35/626    
  • C04B  35/583    

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