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フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法

シーズコード S110006943
掲載日 2011年12月12日
研究者
  • 板東 義雄
  • チェンチュン・タン
技術名称 フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法
技術概要 窒化ホウ素製の円筒管に,基材となる塩化マグネシウム片30mgを入れた。この円筒管を,横型抵抗加熱炉に挿入された石英管からなる反応管の内側に配設した。反応管に流量800sccm(standard cubic cm per minute)の窒素ガスを流しながら,30分かけて925℃まで温度を上げた。次に,窒素ガスを停止して,別々のガス導入管から流量1000sccmのアンモニガスと流量100sccmの三フッ化ホウ素ガスとを流しながら,引き続き,925℃で1時間加熱した。その結果,塩化マグネシウムの表面に無色のウール状の層が約10mg堆積した。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 従来の窒化ホウ素ナノチューブと他の材料を組み合わせる複合タイプのナノチューブではなく、窒化ホウ素ナノチューブの化学的組成を変えることにより機能化を図るもので、具体的にはフッ素原子を化学結合により導入した窒化ホウ素ナノチューブを得る。
初めてフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブを提供することができ、このフッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブは、導電性を示す半導体であるので、電子デバイスへの応用が期待される。
用途利用分野 フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 板東 義雄, チェンチュン・タン, . フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法. 特開2007-099588. 2007-04-19
  • C01B  21/064    
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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