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炭化珪素ナノワイヤーの製造方法

シーズコード S110006975
掲載日 2011年12月13日
研究者
  • 板東 義雄
  • グォツェン・シェン
  • チェンチュン・タン
  • デミトリー・ゴルバーグ
技術名称 炭化珪素ナノワイヤーの製造方法
技術概要 一酸化ケイ素粉末(純度99.9%)0.8gと、グラファイト粉末(純度98%)0.1gと、窒化ガリウム粉末(純度99.99%)0.04gと、の混合物をグラファイト製坩堝に入れ、この坩堝を断熱材のカーボンファイバーで覆われたグラファイト製誘導加熱円筒管を有する縦型高周波誘導加熱炉の中央部に設置した。次に、縦型高周波誘導加熱炉を0.2Torr(26.7Pa)の圧力まで減圧した後、流量200sccmのアルゴンガスを流しながら、1350℃で1時間加熱した。最後に、縦型高周波誘導加熱炉を室温まで冷却すると、加熱時におおよそ1250℃になっていた断熱材の部分に暗緑色のウール状物質が34.6mg堆積した。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
展開可能なシーズ 高温における半導体特性や電界電子放出特性に優れ、竹状の形態を有する、立方晶系炭化珪素ナノワイヤーの新規な製造方法を提供する。
幹並びにそれよりも太い節を有する竹状形態の立方晶系の結晶構造を有する炭化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供することができる。
用途利用分野 電界電子放出デバイス、微小エレクトロニクス分野材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 板東 義雄, グォツェン・シェン, チェンチュン・タン, デミトリー・ゴルバーグ, . 炭化珪素ナノワイヤーの製造方法. 特開2007-223853. 2007-09-06
  • C01B  31/36     
  • D01F   9/10     

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