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炭化物単結晶とその製造方法

シーズコード S110006978
掲載日 2011年12月13日
研究者
  • 大谷 茂樹
  • 相澤 俊
  • 小嶺 信二
技術名称 炭化物単結晶とその製造方法
技術概要 この装置は、1~10気圧程度の不活性ガス雰囲気において結晶育成が可能なようにデザインされた高周波誘導加熱FZ炉である。原料供給棒5の下端の加熱は、ワークコイル4に高周波電流を流すことにより、原料供給棒5に誘導電流を生じさせ、そのジュール熱により行う。形成された融帯6に上方より原料供給棒5を送り込み、下方より単結晶7を育成する。原料の炭化物粉末(TiC)と4族金属の炭化物又は5族金属の炭化物粉末をよく混合後、結合剤として少量の樟脳を加え、ラバープレス(約2000kg/cm)により圧粉棒を作製する。この圧粉棒を真空中又は不活性ガス中で1500~1700℃程度に加熱し、原料焼結棒を作製する。得られた原料焼結棒5を上軸2にホルダー3を介してセットし、下軸2’には種結晶8をホルダー3‘を介してセットする。つぎに、数気圧、好ましくは5気圧程度の不活性ガスを充填後、原料焼結棒5の下端を加熱により溶融させ、融帯6を形成させ、上軸2と下軸2’をゆっくりと、好ましくは、0.5~1.5cm/h程度で下方に移動させて単結晶7を育成する。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
展開可能なシーズ TiCに4族金属元素の炭化物又は5族金属元素の炭化物を添加した焼結体を作製し,FZ法により単結晶を育成し,単結晶の得られる組成範囲7.5~35モル%の添加により亜粒界の存在しない良質な単結晶が育成法を提供する。
亜粒界を含まない良質な炭化物固溶体単結晶が得られ、窒化物薄膜成長用基板としての使用が可能となる。
用途利用分野 TiC単結晶製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 大谷 茂樹, 相澤 俊, 小嶺 信二, . 炭化物単結晶とその製造方法. 特開2007-254232. 2007-10-04
  • C30B  29/36     
  • C01B  31/30     

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