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磁化状態制御装置および磁気情報記録装置

シーズコード S110007021
掲載日 2011年12月14日
研究者
  • 戸川 欣彦
  • 原田 研
  • 松田 強
  • 大谷 義近
  • 木村 崇
技術名称 磁化状態制御装置および磁気情報記録装置
技術概要 強磁性体に対して、外部から弱磁場を印加しつつ、パルス電流を印加することで、強磁性体の磁化状態を制御する。印加磁場の向き・強さとパルス電流の電流強度・パルス幅を制御することで、強磁性体を単一磁化状態と多磁区構造の切り替えが可能である。外部磁場をかけることで、パルス電流通電に対する磁化状態反転の発生確率はヒステリシスを有するようになり、確実に制御可能である。また、印加する磁場の強度は数ガウス程度の弱磁場でよい。また、このような磁気情報記録素子を利用して磁気情報記憶装置(メモリ)に適用することで、高集積化可能な磁気情報記憶装置が得られる。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 従来のMRAMなど磁気情報記録素子は、素子外部より磁場を印加して、素子内に磁化反転などを生じさせて記憶させるが、素子の微細化に伴って微小な領域に大きな磁場を印加するという技術的困難が生じ、高集積化への妨げとなっていた。本発明では、磁気情報記録装置の高集積化を可能とするとともに、確実に磁性体の磁化状態を制御することを目的とする。
磁気情報記録装置の記録密度を従来以上に向上することができる。
用途利用分野 磁気記憶素子、MRAM、不揮発性メモリー、レーストラックメモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人理化学研究所, . 戸川 欣彦, 原田 研, 松田 強, 大谷 義近, 木村 崇, . 磁化状態制御装置および磁気情報記録装置. 特開2009-026354. 2009-02-05
  • G11C  11/15     
  • H01F  10/32     
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  29/82     

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