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プラズマ処理装置

シーズコード S110007228
掲載日 2011年12月21日
研究者
  • 松本 和憲
  • 江原 遼一
  • 八島 伸二
技術名称 プラズマ処理装置
技術概要 本発明は、ウエハの周辺にn枚の電極を並べてこれらの電極によりウエハを円周状に囲んでプラズマ空間を形成し、電極が並ぶ円周の内側で且つウエハの外側の領域であって、しかも隣接する電極の間に位置して絶縁体を設置し、これらの電極に対称多相交流電源を接続して、各電極に位相を1/n周期ずつずらしたn相交流電位を印加することによりウエハをプラズマ処理することを第1の特徴とする。図1の具体例で示すと、12枚の電極1をリングボード2の周囲から数mm離れた位置に円周状に30°づつずらして配置し、電極1の一端に取り付けた給電端子3を介して各電極1に対称多相交流電源4を接続し、位相が1/12周期ずつずれた12相交流電位を印加する。各電極1は石英ガラス5で絶縁し、さらに隣接する電極1の間隙に沿って且つリングボード2の外方に絶縁体としての12本の石英パイプ6を設置する。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 複数枚のウエハを一括して処理するバッチ式のプラズマ処理装置では、ウエハ間隙を狭くすると一様なプラズマを生成することが困難になり、広くすると処理効率が落ちるという課題がある。これに対し、ウエハの周辺にn枚の電極を並べてこれらの電極によりウエハを円周状に囲んでプラズマ空間を形成する方法により、狭いウエハ間隙に対しても一様なプラズマを生成することに成功したが、ウエハ縁部は不均一が残った。オン発明では、従来のプラズマ処理装置におけるウエハ縁部のプラズマ処理を均一化ことを目的とする。
本発明では、電極が並ぶ円周の内側で且つウエハの外側の領域であって、しかも隣接する電極の間に位置して絶縁体を設置し、これにより絶縁体が存在しなければ電位分布が不均一になる領域でプラズマの発生をなくすため、プラズマ空間全体の電位分布が平均化され、ウエハ縁部の不均一性を解消できる。
用途利用分野 プラズマ処理装置、半導体製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 富山県, . 松本 和憲, 江原 遼一, 八島 伸二, . プラズマ処理装置. 特開2008-258509. 2008-10-23
  • H01L  21/31     
  • H05H   1/24     

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