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ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法

シーズコード S110007266
掲載日 2011年12月22日
研究者
  • 中村 恭子
  • チュウ チャオキョン
  • 田中 勝己
技術名称 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
技術概要 炭化水素化合物を触媒を用いることなく、1000℃以上に60分以上加熱して熱分解し、炭化水素ガスの供給を停止、加熱温度を1100℃に昇温後、210分間アニールすることにより、サファイア単結晶基板上に、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であり、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面が滑らかな膜が得られる。使用する炭化水素としては、プロパンを含有するガス、好ましくはプロパン90%、Ar10%の混合ガスが好適である。図は本技術によるDLC膜の成膜装置の模式図である。周りに電熱線を巻き付けた石英管内に基板を入れ、ガスを流しながら外部電源により加熱するものである。
画像

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研究分野
  • 無機化合物の薄膜
  • 炭素とその化合物
展開可能なシーズ 触媒を用いずに、より表面平滑なダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。
サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1000℃以上に加熱することにより、基体表面に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができ、触媒の不均一な堆積に影響されない、より平滑な膜を作製することができる。
用途利用分野 ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜、切削工具・金型・磁気ヘッド・磁気ディスク等の保護膜、ガスバリヤー性コーティング、次世代半導体
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人電気通信大学, . 中村 恭子, チュウ チャオキョン, 田中 勝己, . ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法. 特開2008-260670. 2008-10-30
  • C23C  16/27     
  • C01B  31/02     

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