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擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法

シーズコード S110007271
掲載日 2011年12月22日
研究者
  • 庄司 一郎
  • 川路 宗矩
  • 井村 健
技術名称 擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法
技術概要 エピタキシャル成長させたGaAsの単結晶から所定の大きさのプレートを複数枚切り出す。このとき、切り出されたプレートの厚さ方向に垂直な面(プレート面)を(110)面とする。複数枚(6枚)のプレートのうちの2枚を、常温接合装置10の真空チャンバー11内に設置された第1及び第2の試料ホルダー12、13に、プレートの面内の[001]方向が互いに180°異なるように、それぞれ取付ける。取付けが終了すると、真空チャンバー11を閉じ、真空引きして、所定の真空度に到達してから、ビーム源14を作動させて、Arビームをプレート21、22の表面21a、22aに所定時間照射して、表面をエッチングする。これにより、プレート21、22の表面21a、22aを活性化処理できる。エッチングして活性化処理した後、表面21aと表面22aとを常温にて密着させて接合し、プレート21とプレート22とを常温接合する、という操作を、所定回数n=5だけ繰り返すことにより、複数のプレートが、隣接するプレート同士の面内の[001]方向が互いに180°異なるように接合されてGaAs擬似位相整合波長変換デバイスを作製することができる。
画像

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研究分野
  • レーザ一般
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製する方法を提供する。
短時間で、材料を劣化させることなく、接合面を原子レベルで接合することができる。したがって、さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製できる。また、対向するように設置された2枚のプレートの間隔を1~5mmとすれば、活性化処理後の界面の状態がクリーンな状態で常温接合できるので、変換効率を向上させることができる。
用途利用分野 擬似位相整合波長変換デバイス、GaAs波長変換デバイス、波長変換デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人 中央大学, . 庄司 一郎, 川路 宗矩, 井村 健, . 擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法. 特開2009-237081. 2009-10-15
  • G02F   1/37     
  • G02F   2/02     

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