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磁界印加シリコン結晶育成方法および装置

シーズコード S110007355
掲載日 2011年12月26日
研究者
  • 干川 圭吾
技術名称 磁界印加シリコン結晶育成方法および装置
技術概要 シリコン融液に磁界を印加してシリコン結晶を育成する磁界印加シリコン結晶育成装置において、磁界発生手段として希土類系の永久磁石を用いる方法である。図はこの技術のSi結晶育成装置の実施例を示す模式図である。この磁界印加シリコン結晶育成方法は、磁気回路の一部に永久磁石を配置し、軸対称形状のるつぼにシリコン融液を入れ、この磁気回路でるつぼに対して軸対称性の磁界を印加してシリコン結晶を育成する。磁界の発生手段として、希土類系永久磁石を用いることによって、装置価格(イニシャルコスト)も運用経費(ランニングコシト)も安価で、操作も容易な磁界印加シリコン結晶育成方法および装置である。
画像

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thum_2008-099262.GIF
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 固体デバイス材料
  • 電磁石
展開可能なシーズ 磁界の発生手段として、希土類系永久磁石を用いることによって、装置価格および運用経費が安価で操作も容易な磁界印加シリコン結晶育成方法および装置を提供する。
直径300mm以上のLSI基板用Si単結晶育成および太陽電池基板用Si単結晶育成における磁界印加技術において、装置価格が大幅に低減できる。またその運用経費が極端に低減(基本的には運用経費不要)でき、装置の構成・構造が簡単で装置の運用が簡単・容易である。そして、適用する磁気回路の構成・構造を工夫することにより、必要とする磁界分布(磁界の大きさ方向)を簡単な操作で制御出来る。
用途利用分野 半導体シリコン(Si)単結晶、太陽電池Si基板、結晶育成装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人信州大学, . 干川 圭吾, . 磁界印加シリコン結晶育成方法および装置. 特開2009-249232. 2009-10-29
  • C30B  29/06     
  • C30B  15/22     

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