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超伝導MgB2膜の電気メッキによる作製法

シーズコード S110007411
掲載日 2011年12月27日
研究者
  • 阿部 英樹
  • 今井 基晴
  • 銭谷 勇磁
  • 柴山 功
  • 秋光 純
技術名称 超伝導MgB2膜の電気メッキによる作製法
技術概要 臨界電流密度(J)の高いMgB膜は、電力へ応用に適している。本方法による超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法は、MgとBを含む電気メッキ浴にMg(OH)2(水酸化マグネシウム)を添加するだけのシンプルな構成であり、臨界電流密度(J)の向上が簡便に実現される。「MgB電気メッキ法」は、現在主流である真空蒸着法と異なり、電気メッキ用の簡単な装置を利用するため、単純廉価な装置により超伝導MgB線材が得られる。しかも、真空蒸着では不可能な基板裏面への成膜も可能であり、コイル状に成形した金属棒に超伝導MgB膜を付着させ、超伝導マグネットを作製することができる。このような「MgB電気メッキ法」の利点に加え、メッキ浴に含まれるMgのモル比を1とした時、0.015~0.020のモル比でMg(OH)2を添加することにより臨界電流密度(J)を飛躍的に向上できる。
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研究分野
  • 金属系超伝導体の物性
  • 電気的性質
展開可能なシーズ 超伝導MgB(二ホウ化マグネシウム)の作製技術として、電気メッキにより導電体表面へMgB膜を常圧合成する「MgB電気メッキ法」が確立されている。それをさらに発展させ、臨界電流密度(J)を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる、超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法を提供する。
MgとBを含むメッキ浴に、メッキ浴に含まれるMgのモル比を1とした時、0.015~0.020のモル比でMg(OH)を添加することにより、得られるMgBの臨界電流密度(J)を飛躍的に向上させることができる。
用途利用分野 電力用超伝導材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 阿部 英樹, 今井 基晴, 銭谷 勇磁, 柴山 功, 秋光 純, . 超伝導MgB2膜の電気メッキによる作製法. 特開2007-141793. 2007-06-07
  • H01B  13/00     
  • H01B  12/06     
  • C01B  35/04     
  • C01G   1/00     
  • C25B   1/00     
  • C25D   3/66     

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