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単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法

シーズコード S110007560
掲載日 2011年12月28日
研究者
  • 川原田 洋
  • 岩崎 孝之
技術名称 単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法
技術概要 炭素化合物を含む原料ガスを用いた化学気相法によって成長基板に第1の単層カーボンナノチューブを根元成長させる成長ステップと、この第1の単層カーボンナノチューブの根元成長を停止させる根元成長停止ステップと、この成長停止によって第1の単層カーボンナノチューブと次の第2の単層カーボンナノチューブとの間に不連続層を形成する不連続層形成ステップと、ガス濃度を低くして再び化学気相法によって、第1の単層カーボンナノチューブの根元部分に緻密で短小の第2の単層カーボンナノチューブを所定の長さまで根元成長させる第2の成長ステップと、第1の単層カーボンナノチューブに外力を与えることにより、第1の単層カーボンナノチューブを不連続層から切除するステップとから成る単層カーボンナノチューブの製造方法である。並びにこの単層カーボンナノチューブの製造方法を用いた半導体配線構造、電界放出ディスプレイ(FED)用電子部品および原子間力顕微鏡(AFM)の探針の製造方法である。具体的にカーボンナノチューブの成長過程の電子顕微鏡写真が示されている。図は単層カーボンナノチューブの製造工程を示す概略図である。
画像

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thum_2007-152632.GIF
研究分野
  • 炭素とその化合物
  • プリント回路
  • 熱電子放出,電界放出
展開可能なシーズ 生産効率を向上し得る単層カーボンナノチューブの容易な製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法を提案する。
単層カーボンナノチューブに外力を与えるだけで、先端が均一に揃った欠陥のない、用途の自由度が高い単層カーボンナノチューブを容易に製造できる。また、単層カーボンナノチューブの製造を室温で、かつ短時間で行えると共に、フォトリソグラフィも用いることなく容易に製造できるので、生産効率を向上させることができる。
用途利用分野 単層カーボンナノチューブ、半導体配線構造物、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品、原子間力顕微鏡探針
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人早稲田大学, . 川原田 洋, 岩崎 孝之, . 単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法. 特開2008-303114. 2008-12-18
  • C01B  31/02     
  • B01J  23/745    
  • B82B   3/00     
  • H01J   9/02     
  • G01N  13/00     
  • H01L  21/285    
  • H01L  21/3205   
  • H01L  21/768    
  • H01L  23/532    

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