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有機電界効果トランジスタ

シーズコード S120007738
掲載日 2012年1月5日
研究者
  • 高嶋 授
  • 金藤 敬一
技術名称 有機電界効果トランジスタ
技術概要 有機FETの外部刺激応答性素子としての性能は、MISキャパシタの静電容量により規定される。この静電容量を、外部刺激により光学的に変調させることにより、有機FETの電気特性を変調させれば、明確な光応答性を組込むことができる。本発明は、この点に着目したものであり、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有し、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域が有機半導体層からなり、有機半導体層とゲート電極がゲート絶縁層によって隔てられている有機電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極が、ゲート絶縁層側から順番に配置された、フローティングゲート電極、光照射等の外部刺激に応答して導電性となる性質を有する第2絶縁層、コントロールゲート電極から構成されていることを特徴とする有機電界効果トランジスタである。
画像

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研究分野
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 有機FETは、スクリーン印刷等の技術により安価に製造できる上、フレキシブルで大面積化も容易なことから、その実用化に大きな期待が寄せられている。この中で、光メモリ機能に関しては、有機半導体のキャリアー誘起能力が低いことや、有機半導体層に直接光照射を行うため半導体性能の劣化を誘引し、素子寿命を低下させる等の課題があった。本発明では、有機FETの応用の一つとして、外部からの光に応答しメモリ機能を有する、外部刺激応答性素子の基本的な原理・構成を提供することを目的とする。
本発明の有機FETは、ゲート電極が、ゲート絶縁層側から順番に配置された、フローティングゲート電極、外部刺激に応答して導電性となる性質を有する第2絶縁層、コントロールゲート電極から構成されているため、外部刺激を受ける面(光照射面)は素子裏面のゲート面全体を利用できる極めて大きな開口率を有する受光素子となる。一方、光照射等の外部刺激に対しぜい弱な有機半導体層は、フローティングゲートで遮光等をすることが可能であるので、光等の応答素子でありながら高いトランジスタ性能を低下させない機能をも有する。
用途利用分野 有機FET
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州工業大学, . 高嶋 授, 金藤 敬一, . 有機電界効果トランジスタ. 特開2008-182088. 2008-08-07
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  29/786    
  • H01L  51/05     
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  27/28     

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