TOP > 技術シーズ検索 > SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム

SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム

シーズコード S120007744
掲載日 2012年1月5日
研究者
  • 中村 和之
  • 小池 洋紀
技術名称 SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム
技術概要 SRAMメモリセルの第1のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第1の近似曲線関数を特定するとともに、SRAMメモリセルの第2のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第2の近似曲線関数を特定し、前記第2の近似曲線関数をY軸に対してミラー反転させた関数である第3の近似曲線関数を特定し、前記第1の近似曲線関数と前記第3の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値からスタティックノイズマージンを特定する。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2007-095928.gif
研究分野
  • CAD,CAM
展開可能なシーズ 昨今の微細化されたSRAMメモリセルでは、微細化にともなって製造時のバラツキの影響を受けやすくなっており、SRAMメモリセルを設計する場合には、製造時のバラツキを考慮して設計することが望まれており、このバラツキの評価を効率よく行うために、スタティックノイズマージンを効率よく計算することが求められていた。しかし、手作業でスタティックノイズマージンを求めるために多大な時間を要し、全ての製造時のバラツキを考慮した設計を行うことは不可能であった。本発明は、より短時間でスタティックノイズマージンの評価を行って、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化可能なSRAMメモリセルの評価方法及び評価プログラムを提供することを目的とする。
本発明のアルゴリズムにより、スタティックノイズマージン算出手順が容易化でき、短時間でスタティックノイズマージンが評価されることにより、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化することができる。
用途利用分野 SRAMメモリ評価プログラム
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州工業大学, . 中村 和之, 小池 洋紀, . SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム. 特開2008-257760. 2008-10-23
  • G11C  29/56     
  • G11C  11/413    

PAGE TOP