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ポリシング加工方法及び装置

シーズコード S120007755
掲載日 2012年1月5日
研究者
  • 木村 景一
  • カチョーンルンルアン パナート
技術名称 ポリシング加工方法及び装置
技術概要 図に示す紫外光UVの照射により光エネルギーを得たCuは、外部へ自由電子を放出する。電子を失ったCu層はイオン化し、Cu2+となり、試料表面を満たす水中のOHと結合し、一部はCu(OH)となり水中に溶出され、一部は銅の表面を酸化させてCuO、CuOなどに変化して、Cu表面に付着するものと推測する。この一連のプロセスによって、Cuが変化したCu酸化物の不働体膜はもろく、試料表面から容易に除去されていく、すなわち、ポリシング加工を容易にする。外部へ電子を放出させる光の波長は、材質によって異なっている。ここでは、条件を満たす波長領域を有する電磁波を励起光として用いるものであり、この波長領域を有する励起光であれば、紫外線以外にもX線などを用いることができる。紫外光源として紫外線レーザ(例えば、ArFエキシマレーザ)を用いることができる。ポリシングテーブルは、ポリシング装置のなかの回転テーブルで、そこにポリシングパッドを貼り付け、そこにスラリーを滴下させそこに被ポリシング材料を押し付け、加工するものである。
画像

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研究分野
  • 表面処理
  • 固体デバイス材料
展開可能なシーズ ポリシングに直接関係のない励起物質を混入させる必要も無く、励起光照射による被加工物表面での励起による電子放出現象に着目した加工方法及び装置を提供する。また、スラリー中の化学成分により被ポリシング材料表面に化学反応膜を形成して、それをスラリー中の砥粒による機械的作用で除去する通常の化学的機械的研磨(CMP)加工状態で、被ポリシング材料に直接励起光を照射し、表面に化学反応膜をより速い速度で形成し、さらに被ポリシング材料表面近傍での酸化作用により材料除去を促進して、低荷重によるナノメータオーダーの加工技術を実現する。
(1)Cuなどの半導体基板材料のCMPにおけるCu膜の剥離、Low-k材料の破壊の防止、及び(2)SiC、ダイヤモンドなどの化学的に安定した高硬度材料のポリシング速度の向上を図ることができる。これによって、低荷重ポリシングを実現して、半導体プロセスの歩留りを向上させることができる。
用途利用分野 ポリシング加工装置、化学的機械的研磨装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州工業大学, . 木村 景一, カチョーンルンルアン パナート, . ポリシング加工方法及び装置. . 2009-04-30
  • B24B   1/00     
  • B24B  37/00     
  • H01L  21/304    

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