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3次元フォトニック結晶及びその製造方法

シーズコード S120008059
掲載日 2012年1月19日
研究者
  • 野田 進
  • 岡野 誠
  • 今田 昌宏
  • 高橋 重樹
技術名称 3次元フォトニック結晶及びその製造方法
技術概要 基材表面に対して斜めに、異なる2方向に延びる孔を多数形成することにより、第1結晶11及び第2結晶12を形成する。孔の間に残った基材がロッド14となる。また、一部のロッド15が第1結晶11及び第2結晶12のロッド14と大きさが異なる接続結晶層13を形成する。第1結晶11と第2結晶12の間に接続結晶層13を挟んでそれらを接合する。こうして得られた3次元フォトニック結晶10においてロッド15は点欠陥となる。点欠陥15の形状及び大きさは、接続結晶層13内のいずれの方向にも任意に設定することができる。また、点欠陥15の形状及び大きさは接続結晶層の厚さを調整するによっても制御することができる。
画像

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研究分野
  • 光デバイス一般
展開可能なシーズ ロッド(ストライプ層)の大きさや形状等に制約されることなく、任意の形状、大きさの点欠陥を内部に形成することができる3次元フォトニック結晶を提供する。
誘電体から成る基材に、2次元の周期パターンを成す多数の孔が、第1の方向および第2の方向から穿孔される。このように、2次元の周期パターンを有する多数の孔が異なる2方向から穿孔されることで、この基材の内部には3次元の周期パターンが形成される。この3次元フォトニック結晶においては、本体結晶と接続結晶層の孔及び孔と孔の間の基材において形状が異なり、それが結晶中の欠陥となる。この欠陥は、接続結晶層の厚さを調節することにより、任意の大きさとすることができる。すなわち、接続結晶層の厚さを調整することで、欠陥の大きさを連続的に変化させることができる。
用途利用分野 光共振器、レーザ発振器、光導波路、光IC素子、フォトニック結晶
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人京都大学, . 野田 進, 岡野 誠, 今田 昌宏, 高橋 重樹, . 3次元フォトニック結晶. . 2008-08-14
  • H01S   3/08     
  • H01S   5/12     
  • G02B   6/12     

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