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強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法

シーズコード S120008101
掲載日 2012年1月19日
研究者
  • 福村 知昭
  • 川崎 雅司
  • 上野 和紀
  • 岩佐 義宏
  • 下谷 秀和
  • 山田 良則
技術名称 強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法
技術概要 基板11と、基板11上に設けた二酸化チタン層15と、二酸化チタン層15上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層12と、遷移元素ドープ二酸化チタン層12上に設けた電解液13と、電解液13と接触するよう設けたゲート電極14とを含む。電解液13は、CsCl4、Sr(ClO4)2、KClO4、NaClO4、LiClO4の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる。ゲート電極14へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層12の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。
画像

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研究分野
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 強磁性と半導体との両方の性質を有する強磁性半導体材料が注目を浴びている。しかしながら、強磁性半導体は室温と比べて十分低温で強磁性が消失するため、これらの強磁性半導体を用いたデバイスを室温下で動作させることは不可能であった。そこで、室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。
遷移元素ドープ二酸化チタンからなる強磁性半導体を電界により室温下で制御し、強磁性半導体のキャリア濃度を制御することができる。よって、例えば情報の読み取り及び書き込みの処理を室温状態で行うことができる。
用途利用分野 強磁性半導体素子、磁気センサ、不揮発性メモリ、不揮発性論理素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 福村 知昭, 川崎 雅司, 上野 和紀, 岩佐 義宏, 下谷 秀和, 山田 良則, . 強磁性半導体素子. 特開2010-232562. 2010-10-14
  • H01L  29/82     
  • H01L  21/363    
  • H01F   1/40     

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