TOP > 技術シーズ検索 > 3C-SiC単結晶の製造方法

3C-SiC単結晶の製造方法

シーズコード S120008171
掲載日 2012年1月20日
研究者
  • 宇治原 徹
  • 田中 亮
  • 関 和明
  • 竹田 美和
技術名称 3C-SiC単結晶の製造方法
技術概要 従来の方法の種結晶基板の積層順序の継承という方法ではなく、二次元核成長する結晶構造を常に熱力学的に安定化させ、多形変化を抑制する方法であって、結晶成長における種結晶基板と原料融液との固液界面エネルギーを制御することによって3C‐SiC単結晶を安定的に二次元核成長させる方法である。すなわち、Si‐Sc系溶媒に炭素が溶解している原料融液Mを1350℃未満とし、この原料溶液を6H‐SiC単結晶基板の少なくとも(0001)炭素面に接触させて3C‐SiC単結晶を二次元核成長させる。Si‐Sc系溶媒は、Si‐Sc系溶媒全体を100原子%としたときに、15原子%以上32原子%以下のScを含み残部がSiと不可避不純物からなるのが好ましい。また、6H‐SiC単結晶基板は、昇華法により作製されたものでもよいし、本方法により得られた3C‐SiC単結晶を種結晶基板として使用することもできる。図は、この3C‐SiC単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長装置の一例を模式的に示す断面図である。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2009-075974.GIF
研究分野
  • 無機化合物の結晶成長
展開可能なシーズ 低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型の3C‐SiC(立方晶炭化ケイ素)単結晶を容易に成長させることができる3C‐SiC単結晶の製造方法を提供する。
結晶成長における固液界面エネルギーを考慮すると、二次元核成長における多形変化を抑制することが可能であり、低温かつ低固液界面エネルギーのもとで、6H‐SiC結晶基板に3C‐SiCの単結晶を安定的に二次元核成長させることができる。
用途利用分野 立方晶炭化ケイ素単結晶、種結晶基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 宇治原 徹, 田中 亮, 関 和明, 竹田 美和, . 3C-SiC単結晶の製造方法. 特開2010-228939. 2010-10-14
  • C30B  29/36     
  • C30B  19/04     

PAGE TOP