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多孔質シリカ膜およびその製造方法

シーズコード S120008222
掲載日 2012年1月20日
研究者
  • 村上 泰
  • 清水 航
技術名称 多孔質シリカ膜およびその製造方法
技術概要 細孔径が2nm以下、鉛筆硬度が5H以上、分光エリプソメータを用いて波長655nmの光を膜表面に対して入射角75度で入射させた際の屈折率が1.33以下の多孔質シリカ膜の製造方法である。この多孔質シリカ膜の製造方法は、テトラアルキルオルソシリケート、メタノール若しくはエタノール、ヒドロキシケトン誘導体および水を混和して反応させ、得られた溶液を基板に供給して膜を形成、得られた膜を水洗し、250~800℃の範囲で加熱する工程から成っている。図は多孔質シリカ膜の製造方法の一例を示すフローチャートである。例では、テトラメチルシランを原料に、メタノール、ヒドロキシアセトンと水を混合、40℃で96h反応してコーティング溶液を調製し、シリコン基板にスピンコートし、その後200~800℃の所定温度で熱処理して多孔質シリカ膜を作製し、鉛筆硬度5H以上、屈折率1.34以下(200℃加熱の場合のみ1.37)の結果が示されている。この膜は低屈折率を有することから、例えば、光学機器、ディスプレイ、太陽電池などの反射による光損失や透過光の減少を低減する低屈折率膜、反射防止膜として利用可能である。
画像

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研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 光物性一般
展開可能なシーズ 低屈折率でそれを長期に維持可能であり、高硬度でかつ被コーティング材料への膜の密着性に優れる多孔質シリカ膜およびその製造方法を提供する。
低屈折率、高硬度で、密着性に優れた多孔質シリカ膜を得ることができる。
用途利用分野 光学機器、ディスプレイ、太陽電池、反射防止膜、低屈折率膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人信州大学, . 村上 泰, 清水 航, . 多孔質シリカ膜の製造方法. 特開2010-189212. 2010-09-02
  • C01B  33/12     
  • H01L  21/316    

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