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半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置

シーズコード S120008408
掲載日 2012年1月25日
研究者
  • 孫 勇
技術名称 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置
技術概要 両側に入力電極11及び出力電極12を備えた平板状の圧電体13の入力電極11及び出力電極12の間の領域に対して、隙間を設けて平板状の半導体14を平行に配置する第1工程と、入力電極11に高周波入力電圧を印加して圧電体13に弾性表面波を発生させ、弾性表面波に伴う交流電界を半導体14に印加しながら弾性表面波を出力電極12に向けて移動させて、出力電極12で弾性表面波による高周波出力電圧を測定する第2工程と、高周波入力電圧の振幅電圧値Vin及び高周波出力電圧の振幅電圧値Voutから、弾性表面波が入力電極11から出力電極12に移動する伝搬率Vout/Vinを演算し、伝搬率を用いて半導体14の電気伝導率の相対値を求める第3工程とを有する。
画像

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研究分野
  • 固体の音波物性一般
展開可能なシーズ 簡単、低コストで効率的に電気伝導率、移動度、及び不純物準位の特定が可能な弾性表面波を用いた半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置を提供する。
シリコン結晶太陽電池の性能を左右する不純物の影響を電気伝導率の測定から評価することができ、シリコン結晶太陽電池の出荷前の性能検査や、使用中のシリコン結晶太陽電池の劣化判定を効率的かつ安価に行うことができる。弾性表面波に伴って発生する交流電界を半導体に印加することで、伝導電子が不純物ポテンシャルを共鳴透過するラムザウアー効果が観察されるので、弾性表面波を用いて半導体中の不純物原子の束縛準位に占有された電子に関する量子情報(例えば、束縛準位の電子の波動関数に関する情報)の読み取りや書き込みが可能になると考えられる。
用途利用分野 シリコン結晶太陽電池劣化判定装置、ラムザウアー効果観測装置、量子情報読取装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州工業大学, . 孫 勇, . 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法. 特開2010-281640. 2010-12-16
  • G01R  27/02     

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