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半導体リソグラフィ用光源

シーズコード S120008444
掲載日 2012年1月27日
研究者
  • 大西 正視
  • ワヒード ヒューグラス
技術名称 半導体リソグラフィ用光源
技術概要 半導体リソグラフィ装置Uは、光源1と、半導体ウェハWを配置するステージSと、ステージS上の半導体ウェハWに転写させる回路パターンが形成されたマスクと、光学系Mとを備える。半導体リソグラフィ装置Uは、ステージS、マスク及び光学系Mが密閉構造のケーシングCに内装される。光源1は、負圧の状態で希ガス又は希ガスを含んだ混合ガスが充填される内部空間100を画定した外周壁部101を有する光源本体10と、内部空間100内に回転磁場を発生させる磁場発生手段20とを備える。回転磁場に誘起された電流(プラズマ電流)によるジュール加熱でプラズマがEUV光(短波長の光)の発生に必要な高温(>20eV)に加熱され、13.5nmの波長の光成分を含む発光が生じ、ガラスの存在しない光放出部102に向けて放射される。EUV光が光放出部102から外部に放出されるに伴い、13.5nm以外の光成分は光学系Mに吸収され、EUV光のみが光学系M(Mo/Siの多層膜M)に反射されてマスクに導かれ、これにより、マスクに形成された回路パターンがステージS上の半導体ウェハWのフォトレジストに転写されることになる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半導体集積回路の製造方法として、回路パターンの形成されたマスクに光源からの光を照射し、半導体ウェハ上の感光性樹脂に対してマスクの回路パターンを転写するリソグラフィが知られている。光の波長が長いとフォトレジスト上での回路パターンの解像度が低くなる傾向にあるため、波長の短い光を発生させる要望がある。半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させず、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源を提供する。
半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることができる。
用途利用分野 半導体リソグラフィ用光源
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人 関西大学, . 大西 正視, ワヒード ヒューグラス, . 半導体リソグラフィ用光源. 特開2010-040329. 2010-02-18
  • H05G   2/00     
  • H01L  21/027    
  • G03F   7/20     
  • H05H   1/46     

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