TOP > 技術シーズ検索 > アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜

アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜

シーズコード S120008452
掲載日 2012年1月27日
研究者
  • 久保 衆伍
  • 山田 容士
  • 北川 裕之
技術名称 アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜
技術概要 ホウ素のドープ量を1×1019cm-3~5×1022cm-3としたアナターゼ型酸化チタン、および同アナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。抵抗値が10-3[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタン、および同アナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。本薄膜の製造方法は特に限定しないが、一例としてRFマグネトロンスパッタ法で、RF周波数:13.56MHz、プレート電圧:200V、RF電力:200Wが挙げられる。また、膜質を向上させるために、DCスパッタを用い、また、基板を後熱処理(ポストアニール)することにより、更に低抵抗化し、実用性を向上させる方法も採用できる。
研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 近年、PDP(プラズマディスプレイパネル)やELパネルなどに適用するために、透明電極の研究開発が進んでいる。実際、ITOやZnOの研究開発が進められITOを用いたものは製品化されている。また、Nb(ニオブ)をドープした酸化チタンも透明導電性を有することが知られている。しかしながら、従来の技術では以下の問題点があった。すなわち、ITOを用いたパネルが盛んに製造されているが、Inが希少金属であり、資源枯渇問題が深刻化しつつある。また、Inの健康への影響も指摘されている。そこで、ITO代替の新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜である。更に、膜質を向上させるために、DCスパッタを用い、また、基板を後熱処理(ポストアニール)することにより、更に低抵抗化し、実用性を向上させる方法を採用できる。
用途利用分野 アナターゼ型酸化チタン、透明導電膜、太陽電池の配線
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人島根大学, . 久保 衆伍, 山田 容士, 北川 裕之, . アナターゼ型酸化チタン. 特開2010-013309. 2010-01-21
  • C01G  23/04     
  • H01B   5/14     
  • H01B   1/08     
  • C23C  14/08     

PAGE TOP