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磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス

シーズコード S120008482
掲載日 2012年1月31日
研究者
  • 能崎 幸雄
  • 松山 公秀
技術名称 磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス
技術概要 磁性多層膜ドットを構成する複数の磁性層の磁化方向を制御することにより、共鳴周波数を変えることができることを見出した。、この発見を基礎とするものであり、磁性多層膜ドットを用いた従来に無い各種の高周波デバイスを提供する。そのために、磁性多層膜ドット1として、磁性層3と非磁性層5とが交互に積層されて構成された高周波素子を用いる。磁性多層膜ドット1を構成する複数の磁性層3は、すべて単磁区に磁化された状態で、磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態と磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態とを安定して維持できる膜厚寸法、形状及び磁気特性をそれぞれ有している。磁性層3の磁化方向がすべて一致する平行状態にあるときの共鳴周波数と、磁性層3の磁化方向が交互に異なる反平行状態にあるときの共鳴周波数は異なる。磁化状態を変えることにより、磁性多層膜ドット1の共鳴周波数を変えれば、フィルタのフィルタ周波数を変えることができる。
研究分野
  • 磁電デバイス
展開可能なシーズ 磁性多層膜ドットを用いた従来に無い各種の高周波デバイスを提供する。
高周波デバイスは、複数の磁性層が非磁性層を間に介して積層されてなる1以上の磁性多層膜ドットを用いたフィルタとしての機能を有する高周波デバイスである。複数の磁性層の磁化方向がすべて一致する平行状態にあるときの共鳴周波数と、複数の磁性層の磁化方向が交互に異なる反平行状態にあるときの共鳴周波数は異なる。したがってこの磁化状態を変えることにより、磁性多層膜ドットの共鳴周波数を変えれば、フィルタのフィルタ周波数(共鳴周波数)を変えることができる。
用途利用分野 高周波フィルタ、高周波薄膜インダクタ、電磁波受信デバイス、磁気メモリ装置、磁気連想メモリ装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 九州大学, . 能崎 幸雄, 松山 公秀, . 磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス. .
  • H01P   1/218    
  • H01P   7/00     
  • H01L  43/08     
  • G11C  11/15     

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