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低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造

シーズコード S120008501
掲載日 2012年1月31日
研究者
  • 大塚 寛治
  • 秋山 豊
  • 川口 利行
  • 田原 和時
技術名称 低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造
技術概要 低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造にかかわるものであり、それらの絶縁シート10の表面に電源配線21およびグランド配線22を有する金属配線層20が設けられた積層シート1と、電源配線21およびグランド配線22を覆うように設けられた絶縁薄膜層31と、絶縁薄膜層31の表面に設けられた抵抗体層32とを有することを特徴とする。このインピーダンス電源・グランドペア線路構造にあっては、絶縁薄膜層31を介して金属配線層20を覆うように設けられた抵抗体層32を有するため、ループインダクタンスが理論的に0となる。その結果、電源・グランドペア線路の特性インピーダンスが低くなる。
画像

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研究分野
  • プリント回路
展開可能なシーズ 従来の電子回路用高速大電力の電源やグランド線は幅広の独立配線またはべた状の配線を用いるものが多いが、高周波特性が悪く、1GHz以上のスイッチ動作に対して電源、グランドの揺らぎが発生し、共振を誘発したり、電磁放射の原因となることが問題となる。その原因となるループインダクタンスを小さくすることが求められている。そこで、このループインダクタンスが理論的に0となるような、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造を提供する。
ループインダクタンスが理論的に0となるような、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造を提供でき、100GHz周波数に対しても適切な電源供給回路を作製できる。
用途利用分野 多層プリント基板
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人明星学苑, 信越ポリマー株式会社, . 大塚 寛治, 秋山 豊, 川口 利行, 田原 和時, . 低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造. 特開2009-283688. 2009-12-03
  • H05K   1/02     
  • H05K   3/28     
  • H05K   9/00     

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