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ルチル(TiO2)単結晶の製造方法及びルチル(TiO2)単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ

シーズコード S120008508
掲載日 2012年1月31日
研究者
  • 田中 功
  • 綿打 敏司
  • 森本 真輔
  • 朴 鐘寛
技術名称 ルチル(TiO2)単結晶の製造方法及びルチル(TiO2)単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ
技術概要 所定の育成雰囲気中でルチル原料棒とルチル種結晶との接合部分を融解させ溶融帯を形成し、前記溶融帯を移動させながらルチル(TiO)単結晶を育成するルチル単結晶の製造方法において、前記溶融帯にチタン原子価+4よりも低原子価の異種金属元素を添加し、前記溶融帯に含まれる前記異種金属元素により、育成されるルチル単結晶の酸素欠損を抑制することを特徴とするルチル単結晶の製造方法。前記溶融帯に含まれる異種金属元素がアルミニウム(Al)、鉄(Fe)、カルシウム(Ca)、ニッケル(Ni)の群から選ばれる1種の金属元素であることを特徴とする、または前記育成雰囲気が酸素0.1MPa以上であることを特徴とするルチル単結晶の製造方法。420nm以上の波長領域における光透過率が、前記ルチル単結晶の光透過方向の厚みが1mm以上において、60%以上であることを特徴とする、またはルチル単結晶に含まれる前記異種金属元素の濃度が30ppm以下であることを特徴とするルチル単結晶の製造方法により製造されたルチル単結晶。前記のルチル単結晶を含む光アイソレータ。
研究分野
  • 酸化物薄膜
  • ジャイレータ,アイソレータ,サーキュレータ
展開可能なシーズ 高純度ルチル原料に対して微量の異種金属元素を添加したルチル(TiO2)溶媒、又はルチル融液(TiO)種結晶とを接触させて、ルチル(TiO)単結晶を育成することにより、高圧酸素加圧下での単結晶育成、あるいは単結晶育成後の熱処理を行わなくても透過率の高いルチル(TiO)単結晶の製造方法を提供する。
、酸素欠損や小傾角粒界の少ないルチル(TiO)単結晶を複雑な装置、あるいはルチル(TiO)単結晶育成後に高温で熱処理を行わなくても透過率の高い単結晶を製造することができる。この結果、従来は不可能であった大口径のルチル(TiO)単結晶を製造することができる。
用途利用分野 TiO単結晶、光アイソレータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人山梨大学, . 田中 功, 綿打 敏司, 森本 真輔, 朴 鐘寛, . ルチル(TiO2)単結晶の製造方法及びルチル(TiO2)単結晶、並びにこれを用いた光アイソレータ. . 2009-04-30
  • C30B  29/16     
  • C30B  13/00     

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