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スピン偏極電子発生素子

シーズコード S120008605
掲載日 2012年2月6日
研究者
  • 宇治原 徹
  • 竹田 美和
  • 中西 彊
  • 山本 将博
  • 陳 博
技術名称 スピン偏極電子発生素子
技術概要 偏極電子線発生素子10は、有機金属化学気相エピタキシー法等の結晶成長技術によって、基板12上に順次結晶成長させられたGaAsバッファ層13、グレーティッドバッファ層14、バッファ層15、半導体光電層16、キャップ層18から構成される。基板12は、p-GaAsの単結晶から成る化合物半導体であり、p型のドーパントである亜鉛が不純物としてドープされている。GaAsバッファ層13は、同様にp型のドーパントである亜鉛が不純物としてドープされたGaAsから成り、基板12上に同じ半導体物質で成長させられたものである。半導体光電層16は、p-GaAsの単結晶から成る化合物半導体であってp型のドーパントである亜鉛が不純物としてドープ第1半導体層16a と、リンの混晶比が0.38であるp-GaAs0.62P0.38の単結晶から成る化合物半導体であってp型のドーパントである亜鉛が不純物としてドープされた第2半導体層16bとの対が、その第1半導体層16a がバッファ層14側に位置する状態でたとえば12対乃至36対分だけ順次積層されることにより構成されている。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス一般
展開可能なシーズ 偏極電子線は、高エネルギ素粒子の実験分野における次世代型電子線加速器において、また、物性物理の実験分野においては物質表面の磁区構造を探査する装置においてそれぞれ有効な手段として利用される。本発明は、一層高い量子効率が得られるスピン偏極電子発生素子を提供する。
第1半導体層および第2半導体層における引張および圧縮が交互になり、歪みが蓄積され難くなって格子欠陥の発生が減少するので、高い量子効率が得られる。また、その格子欠陥の発生の減少に関連して半導体光電層を構成する第1半導体層および第2半導体層の積層回数を増加させることができるので、一層高い量子効率が得られる。
用途利用分野 スピン偏極電子発生素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 宇治原 徹, 竹田 美和, 中西 彊, 山本 将博, 陳 博, . スピン偏極電子発生素子. 特開2008-198360. 2008-08-28
  • H01J   1/34     
  • G21K   1/00     

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