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超伝導膜構造及びその作製方法

シーズコード S120008622
掲載日 2012年2月6日
研究者
  • 春山 純志
技術名称 超伝導膜構造及びその作製方法
技術概要 基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなる膜が形成されてなる超伝導膜構造であって、それを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブであることを特徴とする超伝導膜構造。前記カーボンナノチューブ膜厚が略均一であることを特徴とする、前記ホウ素置換型単層カーボンナノチューブ中のホウ素原子の置換率が、炭素原子100に対して0~4であることを特徴とする、及び/またはその超伝導転移温度が12K以下であることを特徴とする超伝導膜構造。基板上に、前記ホウ素置換型単層カーボンナノチューブを含む塗布液をスピンコート法により塗布し、カーボンナノチューブ膜を作製する超伝導膜構造の作製方法であって、回転数を300~700rpmとすることを特徴とする超伝導膜構造の作製方法。前記カーボンナノチューブ膜形成後、基板を1000℃以上で加熱することを特徴とする、前記ホウ素置換型単層カーボンナノチューブを、その触媒にホウ素を所定量含有せしめ、この成長用触媒に対して電気炉内でレーザーを照射させた後に150~250℃で加熱して得ることを特徴とする超伝導膜構造の作製方法。
画像

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thum_2008-134155.GIF
研究分野
  • 超伝導体の物性
展開可能なシーズ 多層カーボンナノチューブと同程度の高温で単層カーボンナノチューブを超伝導状態にすることを可能にする超伝導膜構造及びその作製方法を提供する。
本発明の超伝導膜構造は、多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができるという優れた効果を奏する。また、本発明の超伝導膜構造の作製方法によれば、多層カーボンナノチューブと同程度の高温で単層カーボンナノチューブを超伝導状態にすることが可能となる超伝導膜構造を形成できるという優れた効果を奏する。図は本発明の超伝導膜構造を説明するための模式図であり、1:超伝導膜構造、2:カーボンナノチューブ膜、3:ホウ素置換型単層カーボンナノチューブ、S:基板、である。
用途利用分野 超伝導膜、カーボンナノチューブ膜
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 春山 純志, . 超伝導膜構造及びその作製方法. 特開2009-280442. 2009-12-03
  • C01B  31/02     
  • C01G   1/00     
  • H01L  39/24     
  • H01B  12/06     
  • H01B  13/00     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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