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複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置

シーズコード S120008628
掲載日 2012年2月6日
研究者
  • 八重 真治
  • 平野 達也
  • 松田 均
技術名称 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置
技術概要 テトラクロロ金酸(HAuCl)とフッ化水素酸(HF)とを含有する水溶液(第1溶液)を収めた液槽の中に10秒間浸漬され、その結果、粒径が4nm乃至15nmの第1金属である金(Au)が、シリコン基板の表面上に略均一に析出する。第1溶液による処理後、速やかに、粒子状又はアイランド状にAuが分散配置されたシリコン基板102が、70℃に温められためっき溶液(第2溶液)24を収めた液槽22内に、無電解の環境下で300秒間浸漬される。図は、少なくとも最上層にシリコン層が形成されている母材であるシリコン基板102の表面上に第2金属又は第2金属合金の膜又は層を形成するめっき装置20である。当初のシリコン基板102の二乗平均粗さは、0.2nmである。また、第1金属はAuであり、その第2金属又は第2金属の合金はニッケル-リン合金(Ni-P)である。第2溶液24は、金属塩である硫酸ニッケル(NiSO)と、還元剤であるホスフィン酸ナトリウム(NaHPO)とを含有する水溶液である。こうして、シリコン基板102上に第2金属の合金108であるNi-P合金の層が形成される。
画像

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研究分野
  • 金属系複合材料一般
展開可能なシーズ 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置に関し、高い密着性を保持するために必要と考えられていたシリコン表面層の孔が実質的にない場合であっても、所定の金属が粒子状又はアイランド状に分散配置されたシリコン層表面を利用することにより、密着力の高い複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置を提供する。
母材のシリコン層上に、そのシリコン層上に分散配置された金が触媒活性を示す還元剤により還元され得る金属又はその金属の合金が、その自己触媒型無電解めっき法によって形成される。その結果、その特定金属等は、当初のシリコン層表面の凹凸に依存することなく、その金を起点として、その母材のシリコン層と高い密着性を保ちながらその表面を覆うように形成される。また、この複合材料によれば、母材のシリコン層の一部と置換された粒子状又はアイランド状の金が触媒活性を示す還元剤により還元され得る金属又はその金属の合金が、母材のシリコン層を覆うことになる。その結果、その金属又はその金属の合金は、当初のシリコン層表面の凹凸に依存することがない。
用途利用分野 複合材料、複合材料製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人科学技術振興機構, . 八重 真治, 平野 達也, 松田 均, . 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置. 特開2010-047790. 2010-03-04
  • C23C  18/16     
  • C23C  18/18     

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