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孔の孤立したハニカム構造体の製造方法

シーズコード S120008657
掲載日 2012年2月8日
研究者
  • 下村 政嗣
  • 田中 賢
  • 藪 浩
技術名称 孔の孤立したハニカム構造体の製造方法
技術概要 疎水性有機溶媒に高分子材料を溶解または分散させた材料溶液を、支持体上に積層することで当該材料溶液の液膜を形成する。水蒸気を含む気体を液膜の表面に吹き付けることにより、水滴を鋳型として複数の孔をハニカム状に形成する。得られた膜状体に対して、加熱したり高分子材料の良溶媒を曝露したりすることにより、孔の周囲の構造を部分的に変形または除去して個々の孔を孤立させる。これにより、液滴を鋳型として自己組織化によりハニカム構造体を製造する際に、形成される孔を孤立した状態とすることが可能な技術を提供することができる。
画像

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研究分野
  • 成形
展開可能なシーズ 液滴を鋳型として自己組織化によりハニカム構造体を製造する際に、形成される孔を孤立した状態とすることが可能な技術を提供する。
本発明では、液滴を鋳型として本体材料を自己組織化することによりハニカム構造体を作製した後に、得られたハニカム構造体を完成体としてではなく、中間体として扱い当該中間体に対して加熱、溶液への曝露、物理的な加工等の後処理を施す。これによりハニカム構造体の孔の形状を制御することが可能になり、個々の孔が孤立(独立)したハニカム構造を製造することができる。また、孔孤立工程を含む一連の製造工程の条件を適宜設定することで、ハニカム構造そのものの形状も制御することが可能となる。その結果、さまざまな目的や用途に応じて多様な構造のハニカム構造体を得ることが可能となり、ハニカム構造体の利用分野を拡大してその実用性をさらに一層向上させることができる。
用途利用分野 大面積フレキシブル表示デバイス、ELパネル面発光体・表示デバイス、記憶素子、非線形光学材料、マイクロリアクター
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人北海道大学, . 下村 政嗣, 田中 賢, 藪 浩, . 孔の孤立したハニカム構造体の製造方法. . 2008-07-24
  • C08J   9/36     
  • C08J   9/28     

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