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正孔注入型EL装置

シーズコード S120008678
掲載日 2012年2月8日
研究者
  • 南 内嗣
  • 宮田 俊弘
技術名称 正孔注入型EL装置
技術概要 無機蛍光体の片面状に半導体-蛍光体接合を形成し、反対面状に金属-蛍光体接触を形成する。そして、半導体を負極に、金属を政局に電圧を印加してトンネリングにより蛍光体中に正孔を、接合を通して電子を注入する。正孔注入は印加電界強度で制御可能な接合や接触でのトンネリングにより制御され、また、伝導帯の電子の注入は接合や接触での電位障壁により制限される。このようにして、その注入量が印加電界で制御されることによって、電流制限が可能であり、電力損失の少ない電流制限が実現される結果、励起が正孔注入によって効率良く実現できるため、高い発光効率が実現できる。
画像

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研究分野
  • 発光素子
展開可能なシーズ 結晶の不完全性に起因する非輻射再結合確率の高い無機蛍光体においては、超薄膜での発光は単結晶エピタキシャル膜でのLEDのpn接合部で実現されているが、多結晶やアモルファス蛍光体を使用する面状発光のEL(エレクトロルミネッセンス)での実現は困難であった。そこで、無機蛍光体を用いるELで外部電流制御を有効にできるようにする。
注入量を印加電界で制御することによって、電流制限がされ、電力損失の少ない電流制限を実現することにより、高い発光効率を実現できる。
用途利用分野 正孔注入制御型EL装置、照明器具、シースルー型表示装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人金沢工業大学, . 南 内嗣, 宮田 俊弘, . 正孔注入型EL装置. 特開2007-123220. 2007-05-17
  • H05B  33/14     
  • H05B  33/28     
  • G09F   9/30     
  • H01L  27/32     

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