TOP > 技術シーズ検索 > 酸化亜鉛系透明導電膜

酸化亜鉛系透明導電膜

シーズコード S120008683
掲載日 2012年2月8日
研究者
  • 南 内嗣
  • 宮田 俊弘
技術名称 酸化亜鉛系透明導電膜
技術概要 ZnO系焼結体ターゲットもしくはペレットを、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)にモリブデンを共添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をAl/(Zn+Al+Mo)の原子比で1%を超え8%未満、かつモリブデンの含有量をMo/(Zn+Al+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満として作製する。これを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が改善されたZnO系透明導電膜を得ることができる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2008-035297.gif
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 抵抗率特性の膜厚依存性を改善する新規な酸化亜鉛系透明導電膜、並びに成膜に使用する焼結体を提供することにより、膜厚が200nm未満のITO透明電極をZnO系透明電極に置き換える。
LCDに好適な、約200nm未満の極めて薄い領域において、低抵抗率で且つ耐湿安定性が高く、膜厚依存性の少ない良好な酸化亜鉛を母材とする透明導電膜及びその製造用焼結体が提供できる。
用途利用分野 透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人金沢工業大学, . 南 内嗣, 宮田 俊弘, . 酸化亜鉛系透明導電膜. 特開2009-170392. 2009-07-30
  • H01B   5/14     
  • C23C  14/34     
  • C23C  14/08     
  • C04B  35/453    
  • H01B   1/08     

PAGE TOP