TOP > 技術シーズ検索 > グラフェン集積回路

グラフェン集積回路

シーズコード S120008790
掲載日 2012年2月15日
研究者
  • 陽 完治
技術名称 グラフェン集積回路
技術概要 シリコンカーバイド基板の表面の所望の部位に、グラフェンを形成する手段を新たに見いだすことにより完成された。その製造方法は、絶縁膜で被覆されたシリコン面を有するシリコンカーバイド基板を準備する工程、複数の所望の部位の絶縁膜を除去してシリコン面を露出させる工程、シリコンカーバイド基板を加熱することによって露出部位にグラフェンを形成する工程、及びグラフェンにオーミック電極を形成する工程を含むか、或いはシリコン面を有するシリコンカーバイド基板を加熱することによって当該シリコン面にグラフェンを形成する工程、グラフェンをアイソレーションする工程、アイソレーションにより形成された溝に絶縁膜を形成する工程、及びグラフェンにオーミック電極を形成する工程を含みうる。グラフェン上にオーミック電極を形成すると非線形素子が形成される。非線形素子にゲート電極を形成するとゲート変調されるトランジスタが得られる。トランジスタのチャネル中の核スピンに電子スピンの情報を転写して情報を保持するメモリ回路ができる。非線形素子のグラフェンに、複数の強磁性電極を配置するとラテラル型の巨大磁気抵抗素子を構成できる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2006-163856.gif
研究分野
  • 半導体集積回路
展開可能なシーズ CMOS集積回路は、微細化が行き詰まっていることがある。そのため、新しい材料が求められるなかで、グラフェントランジスタを任意の部位に集積化できる技術があれば、半導体の集積度の向上が期待できる。本発明では、グラフェンを含む非線形素子を集積化する技術を提供し、半導体の集積度を向上させることを目的とする。
グラフェン非線形素子が集積化された回路が提供されるので、さらなるデバイスの集積度の向上が達せられる。非線形素子にゲート電極を形成するとトランジスタが得られ、トランジスタのチャネル中の核スピンに情報を保持するメモリ回路ができ、グラフェンに複数の強磁性電極を配置すると巨大磁気抵抗素子を構成でき、これらを含むグラフェン集積回路が実現できる。
用途利用分野 グラフェン集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人北海道大学, . 陽 完治, . グラフェン集積回路の製造方法. 特開2007-335532. 2007-12-27
  • H01L  29/06     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/78     
  • H01L  21/8234   
  • H01L  27/088    
  • H01L  43/08     
  • H01L  29/82     

PAGE TOP