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半導体発光素子

シーズコード S120008791
掲載日 2012年2月15日
研究者
  • 末宗 幾夫
  • 赤崎 達志
  • 田中 和典
技術名称 半導体発光素子
技術概要 半導体発光素子1は、第1導電型の半導体基板11と、半導体基板11の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられた第2導電型の第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられた超伝導の第1電極15と、半導体基板11の他方の主面上に設けられた第2電極16と、第1半導体層12と第2半導体層14との間に設けられた半導体量子ドット領域13と、を備える。このような構成を有する半導体発光素子において、第1電極と第2 電極との間に順バイアス電圧が印加されると、第1 半導体層と第2半導体層とのpn接合部には、超伝導の第1 電極から電子クーパー対が注入されるとともに、第1半導体層から正孔が注入され、これら電子クーパー対と正孔とが同時に再結合して、2つの互いに区別できない光子が同時に生成される。
画像

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研究分野
  • 発光素子
展開可能なシーズ 量子情報通信等に用いるために、レーザ光をパラメトリック下方変換して光子対を生成する方法,量子もつれ合い(互いに区別することのできない)光子対を生成する技術が開発されてきているが、従来の方法では、光子対を発生するタイミングを制御することができない、一度にただ一つの光子対だけを生成することができない、光子対を生成する速度が遅い、という課題があった。本発明では、量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適な半導体発光素子を提供することを目的とする。
半導体発光素子は、量子もつれ合い(互いに区別することのできない)光子対を生成することができ、従来より格段に処理速度の速い量子情報処理や量子情報通信において好適に用いられる。
用途利用分野 半導体発光素子、量子通信システム
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 浜松ホトニクス株式会社, 国立大学法人北海道大学, 日本電信電話株式会社, . 末宗 幾夫, 赤崎 達志, 田中 和典, . 半導体発光素子. 特開2008-004672. 2008-01-10
  • H01L  33/06     
  • H01L  33/40     
  • H01S   5/042    

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