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ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法

シーズコード S120008862
掲載日 2012年2月16日
研究者
  • 和泉 亮
  • 稲尾 治紀
  • 中村 郁浩
技術名称 ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法
技術概要 本発明者らは、ホットワイヤー法による半導体や各種金属の表面を窒化処理において、NHの使用による基板へのダメージを解消する方法を探究し、窒素ガスに少量の水素を混合することによって、より低い触媒体温度でシリコン等の基材表面を窒化することで優れた効果があることを見出した。本発明はこの知見に基づくものであり、窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに10%以下の水素を添加したガスを用いて基材表面の窒化を行う。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ ホットワイヤー法(ホットワイヤーCVD法)で半導体や各種金属の表面を窒化処理するために、窒素含有原料ガスとしてNHを使用すると、高濃度の水素ラジカル発生により基板にダメージを与えることが問題となる。これに対し、ホットワイヤー法によって、比較的温和な条件下に、半導体や金属等の基材表面を窒化する方法を提供することを目的とする。
本発明によると、窒素ガスに水素を10%以下という少量加えることにより、水素ラジカル密度が極めて低い雰囲気中で、窒素の分解が容易になり、触媒体(ホットワイヤー触媒)の加熱温度が約1900℃という、従来よりも比較的低い温度で、基材表面に窒化物膜を形成することができる。
用途利用分野 CVD法、半導体製造装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人九州工業大学, . 和泉 亮, 稲尾 治紀, 中村 郁浩, . ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法. 特開2010-050252. 2010-03-04
  • H01L  21/318    

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