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ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法

シーズコード S120008941
掲載日 2012年2月20日
研究者
  • 村田 英幸
  • 石井 佑弥
技術名称 ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法
技術概要 基材1上に配置した径が1μm未満であるファイバー(ナノファイバー)2の上およびこのファイバー2に隣接する基材1の表面上に薄膜を構成する材料3を堆積させ、ファイバー2をこの上に堆積した薄膜材料3とともに除去し、ナノギャップ5を形成する。ファイバー2は、エレクトロスピニング法により予め作製したものを用いるとよい。具体的には、離間して配置された2つのコレクタの間を掛け渡すように原ファイバーを作製し、2つのコレクタの間の距離を広げることにより原ファイバーを延伸するとともに細径化すれば、径が均一化されたナノファイバーを得ることができる。
画像

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研究分野
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ 半導体デバイスなどで必要とされるギャップで分断された薄膜の製造方法に関するものであり、幅が1μm未満であるギャップ(ナノギャップ)を有する薄膜について新たな製造方法を提供する。
ナノファイバーを用いたリフトオフによりナノギャップを形成する。この方法によれば、材料利用効率に優れ、多くのステップを必要とせず、かつパターン形成のために長時間高真空を保つ必要のない方法により、ナノギャップで分断された薄膜を得ることができる。
用途利用分野 半導体薄膜、半導体デバイス、光デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学, . 村田 英幸, 石井 佑弥, . ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法. 特開2009-272432. 2009-11-19
  • H01L  21/28     
  • H01B  13/00     
  • B82B   3/00     

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