TOP > 技術シーズ検索 > 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法

紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法

シーズコード S120008956
掲載日 2012年2月20日
研究者
  • 秩父 重英
  • 尾沼 猛儀
  • 小山 享宏
  • 宗田 孝之
  • 池田 大勝
技術名称 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法
技術概要 m面基板10と、m面基板上に配置され,n型不純物をドープされたAlGaN層(12,14)と、そのAlGaN層上に配置され,AlGa1-XN障壁層とAlGa1-XN井戸層からなる量子井戸構造を有するAlGa1-XN/AlGa1-XN活性層16と、その上に配置され,p型不純物をドープされたAlGaN層(18,20)とを備え、c軸が結晶成長の主面の法線方向から40°~90°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Eが主にc軸と平行(E//c)なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2007-297191.GIF
研究分野
  • 発光素子
展開可能なシーズ 深紫外線レーザの大型化、低効率といった課題を解決するために、しきい値電流密度の低い紫外線窒化物半導体発光素子を提供する。
六方晶系の非極性面(a面、m面)または半極性面で結晶成長させたAlGaN混晶と、活性層に用いたAlGaN結晶のAlとGaのモル分率を最適化させた量子井戸構造により、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度で深紫外線波長のレーザ光を発生する紫外線窒化物半導体発光素子を実現する。
用途利用分野 紫外線窒化物半導体発光素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 秩父 重英, 尾沼 猛儀, 小山 享宏, 宗田 孝之, 池田 大勝, . 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法. 特開2009-123969. 2009-06-04
  • H01S   5/343    

PAGE TOP