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非晶質薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法

シーズコード S120008994
掲載日 2012年2月22日
研究者
  • 白井 肇
技術名称 非晶質薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法
技術概要 本発明では、非晶質薄膜20を形成した絶縁基板21を、非晶質薄膜20が上向きになるように載置するためのステージ30と、非晶質薄膜20と対向する位置に設けられ、内部40aに所定のプラズマ発生ガス50を導入してプラズマジェットを発生し、非晶質薄膜20に対して照射したプラズマ照射領域を上から取り囲むトンネル状の被覆部材40と、被覆部材40の頂部外面に被覆部材40の長手方向に線状に接触した状態で配設される上側電極60と、絶縁基板21の下方であって、かつ上側電極60と対向して配設される下側電極70と、高周波電源80とを具える。そして、上側電極60によりライン状のプラズマジェットを生成して非晶質薄膜の溶融・結晶化を行う。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 本発明者らは、これまでに、大気中でプラズマジェットを生成して非晶質薄膜に照射し溶融・再結晶化させる非晶質薄膜の結晶化方法を発明した。これは、細管に導入したプラズマ生成ガスを細管の先端から噴出させ、細管の先端に点状のマイクロマイクロプラズマジェットを生成して非晶質薄膜に照射する方法である。本発明では、この従来の点状のプラズマジェットによる非晶質薄膜の結晶化に比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、ライン状のプラズマジェットを生成して非晶質薄膜の溶融・結晶化を行うため、従来の点状のプラズマジェットに比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる。
用途利用分野 薄膜成長装置
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人埼玉大学, . 白井 肇, . 非晶質薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法. 特開2010-103160. 2010-05-06
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/324    

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