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プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル

シーズコード S120009202
掲載日 2012年3月28日
研究者
  • 幅崎 浩樹
  • 青木 芳尚
  • ダミアン コバルスキー
技術名称 プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル
技術概要 この伝導性膜は、アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示す。好ましくは、タングステン酸化物系複合酸化物が、ZrO-WO系複合酸化物、TiO-WO系複合酸化物、HfO-WO系複合酸化物、Nb-WO系複合酸化物、Ta-WO系複合酸化物から選ばれ、プロトン伝導率が10-4~10-6Scm-1の範囲である。
画像

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研究分野
  • 燃料電池
  • 酸塩基平衡
展開可能なシーズ 200℃といった比較的低い温度であっても高いプロトン伝導性を実現可能にし、厚さを数十~数百nmの範囲成膜可能にし、この範囲の厚みであってもガスリークを防止可能にするアモルファス酸化膜を提供する。
200℃程度でも高いプロトン伝導性が実現でき、厚さを数十~数百nmの範囲に成膜でき、かつこの範囲の厚みであってもガスリークが防止でき、燃料電池、pHセンサー等への応用ができる。
用途利用分野 アモルファス酸化膜、燃料電池、pHセンサー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人北海道大学, . 幅崎 浩樹, 青木 芳尚, ダミアン コバルスキー, . プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル. 特開2010-218859. 2010-09-30
  • H01M   8/02     
  • H01M   8/12     
  • H01M   4/88     
  • H01B   1/06     
  • H01B  13/00     
  • G01N  27/406    
  • C23C  14/14     
  • C23C  14/58     

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